Хорошая цена  онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Домой Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Светоэлектрические датчики
Created with Pixso.

Фотоэлектрический датчик типа слота NPN BSM-202N источник света GaAs IR LED ((940nm)

Фотоэлектрический датчик типа слота NPN BSM-202N источник света GaAs IR LED ((940nm)

Название бренда: KRONZ
Номер модели: BSM-202N
минимальный заказ: 1
Цена: Подлежит обсуждению
Детали упаковки: Упаковка полиэгена
Условия оплаты: T/T, Western Union,
Детальная информация
Место происхождения:
Гуандун , Китай
Сертификация:
CE
Режим обнаружения:
Свет включен при включении, свет выключен при обнаружении
repeatablity:
< 0,03 мм ниже
Переключение емкости:
0~200 мА
Остаточное напряжение:
Ниже 3 В (при токе нагрузки 100 мА, с длиной провода 2 м)
Способ подключения:
Тип разъема, настраиваемые специальные кабели для кабельных цепей
Цепь защиты:
Защита от обратной полярности
сопротивление изоляции:
≥50 MΩ (измерено при постоянном напряжении 500 В мегомметром) между клеммой зарядки и корпусом.
Температура окружающей среды:
Работа: -25~70°C ((неконденсирующийся, морозоустойчивый)
Окружающая влажность:
Рабочая/хранилищная влажность: 35~95% RH (неконденсирующая)
Поставка способности:
10000 штук в месяц
Выделить:

Фотоэлектрический датчик щелевого типа NPN

,

Фотоэлектрический датчик GaAs IR LED

,

Датчик IR LED BSM-202N

Описание продукта
Фотоэлектрический датчик типа слота NPN BSM-202N источник света GaAs IR LED (940nm)
Атрибуты продукта
Атрибут Стоимость
Режим обнаружения Свет включен при включении, свет выключен при обнаружении
Повторяемость < 0,03 мм ниже
Мощность переключения 0 ~ 200 мА
Остаточное напряжение Ниже 3 В (при нагрузке тока 100 мА, с длиной провода 2 м)
Способ подключения Тип соединителя, настраиваемые специальные цепные кабели
Защитная схема Защита от обратной полярности, защита от перенапряжения, защита от короткого замыкания
Сопротивление изоляции ≥ 50 MΩ (измеряется при мегометре постоянного тока 500 В) между терминалом зарядки и корпусом
Температура окружающей среды Работа: -25~70°C (неконденсирующийся, морозостойкий)
Влажность окружающей среды Рабочая/хранилищная влажность: 35~95% RH (неконденсирующая)
Описание продукта
ВBSM-202Nявляется компактным фотоэлектрическим датчиком типа слота, предназначенным дляточное обнаружение объектов в автоматизированных системахИспользуя инфракрасный светодиод галлиевого арсенида с длиной волны 940 нм, он обеспечивает надежную и точную производительность обнаружения.Это делает его идеальным для интеграции вширокий спектр производственных цепей управления.
Ключевые особенности
  • Тип обнаружения:Датчик прозрачного луча типа слота для высокоскоростного обнаружения объектов
  • Тип выхода:Открытый коллектор NPN
  • Источник света:GaAs IR LED (940nm) для стабильной производительности и низкого уровня помех
  • Ширина отверстия:Оптимизирован для обнаружения мелких частей или краев
  • Быстрое время отклика:Идеально подходит для высокоскоростной автоматизации
  • У-образный компактный дизайн:Встроенный излучатель и приемник упрощают выравнивание и установку
  • Инфракрасный источник света:Стабильная работа при условиях окружающего освещения
  • Устойчивая конструкция:Устойчивы к ударам, вибрациям и промышленным загрязнениям
  • Легкая установка:Не требуется отдельное выравнивание излучателя и приемника
Технические параметры
BSM-202N Photoelectric Sensor Technical Parameters Diagram
Изображения продукции
BSM-202N Photoelectric Sensor Front View BSM-202N Photoelectric Sensor Side View BSM-202N Photoelectric Sensor Installation Example BSM-202N Photoelectric Sensor Close-up View
Рисунок размера продукта
BSM-202N Photoelectric Sensor Dimension Drawing
Профиль компании
Manufacturing Facility Overview Quality Control Process Research and Development Department Product Testing Laboratory