Хорошая цена  онлайн

products details

Created with Pixso. Домой Created with Pixso. продукты Created with Pixso.
Светоэлектрические датчики
Created with Pixso.

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения

Brand Name: KRONZ
Model Number: BSM-200N
MOQ: 1
Price: Подлежит обсуждению
Packaging Details: Упаковка полиэгена
Payment Terms: T/T, Western Union, Moneygram
Detail Information
Место происхождения:
Гуандун , Китай
Сертификация:
CE
Режим обнаружения:
Свет включен при включении, свет выключен при обнаружении
Источник света:
GaAs IR LED ((940 нм)
Частота ответа:
5 кГц
repeatablity:
< 0,03 мм ниже
Остаточное напряжение:
Ниже 3 В (при токе нагрузки 100 мА, с длиной провода 2 м)
Способ подключения:
Тип разъема, настраиваемые специальные кабели для кабельных цепей
Цепь защиты:
Защита от обратной полярности
mbient температура:
Работа: -25~70°C ((неконденсирующийся, морозоустойчивый)
Окружающая влажность:
Рабочая/хранилищная влажность: 35~95% RH (неконденсирующая)
Вибрационное сопротивление:
10-55 Гц с амплитудой 1,5 мм, по 2 часа в направлении X, Y и Z
Шоковое сопротивление:
500 м/с2 удар применяется по 10 раз в направлении X, Y и Z
Поставка способности:
10000 штук в месяц
Выделить:

Фотоэлектрический датчик типа слота NPN IP65

,

Фотоэлектрический датчик обнаружения непрозрачных объектов

,

Датчик BSM-200N 1

Product Description
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения
Атрибуты продукта
Атрибут Значение
Режим обнаружения Свет включен при включении питания, свет выключен при обнаружении
Источник света ИК-светодиод GaAs (940 нм)
Частота отклика 5 кГц
Повторяемость менее 0,03 мм
Остаточное напряжение Ниже 3 В (при токе нагрузки 100 мА, с длиной провода 2 м)
Способ подключения Тип разъема, настраиваемые специальные кабели для буксировочной цепи
Схема защиты Защита от обратной полярности, защита от перегрузки по току, защита от короткого замыкания
Температура окружающей среды Рабочая: -25~70°C (без конденсации, морозостойкий)
Влажность окружающей среды Рабочая/хранения: 35~95% относительной влажности (без конденсации)
Вибростойкость 10-55 Гц с амплитудой 1,5 мм, по 2 часа в каждом направлении X, Y и Z
Ударопрочность Удар 500 м/с² приложен 10 раз в каждом направлении X, Y и Z
Описание продукта
BSM-200N - это щелевой фотоэлектрический датчик с выходом NPN и степенью защиты IP65, предназначенный для прецизионного обнаружения в приложениях промышленной автоматизации. Его U-образная конфигурация щели обеспечивает надежное обнаружение наличия, положения и подсчета объектов, удовлетворяя требованиям различных сложных промышленных условий.
Особенности:
  • Щелевой (U-образный) дизайн для точного обнаружения объектов в зазоре.
  • Выход NPN (открытый коллектор) с настраиваемыми режимами NO/NC (Нормально открытый/Нормально закрытый).
  • Ширина щели: Вероятно, 5-30 мм (точная спецификация для подтверждения; сопоставима с 5 мм SL-305N или 30 мм SLO30VB6YQ).
  • Размер цели: Обнаруживает объекты размером всего 1,2 × 0,8 мм.
  • Время отклика: ≤0,3 мс (промышленный стандарт для высокоскоростных приложений).
  • Рабочее напряжение: 12-24 В постоянного тока.
  • Выходной ток: ~100 мА (типично для датчиков NPN).
  • Защита: Защита от обратной полярности.
Технические параметры
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 0
Изображения продукта
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 1 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 2 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 3
Чертеж размеров продукта
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 4
Профиль компании
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 5 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 6 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 7 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 8