Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения

1
MOQ
Подлежит обсуждению
цена
Slot-Type Photoelectric Sensor NPN BSM-200N IP65 Detected Object 1.2 x 0.8mm Opaque Detection Object
Характеристики Галерея Характер продукции Побеседуйте теперь
Характеристики
Характеристики
Detection Mode: Light ON during power-on, Light OFF during detection
Light Source: GaAs IR LED(940nm)
Response Frequency: 5kHz
Repeatablity: <0.03mm below
Residual Voltage: Below 3V (at load current 100mA, with 2m wire length)
Connection Method: Connector type, customizable special drag chain cables
Protection Circuit: Reverse Polarity Protection、Overcurrent Protection、Short-Circuit Protection
mbient Temperature: Operating:-25~70°C(non-condensing、Ice-resistant)
Ambient Humidity: Operating/Storage Humidity: 35~95% RH (non-condensing)
Vibration Resistance: 10-55Hz with 1.5mm amplitude, 2 hours each in X, Y, and Z directions
Shock Resistance: 500 m/s² shock applied 10 times each in X, Y, and Z directions
Основная информация
Place of Origin: Guangdong,China
Фирменное наименование: KRONZ
Сертификация: CE
Model Number: BSM-200N
Оплата и доставка Условия
Packaging Details: Polybag packing
Delivery Time: 5-8 working days
Payment Terms: T/T,Western Union,MoneyGram
Supply Ability: 10000 pieces per month
Характер продукции

BSM-200N - это щелевой фотоэлектрический датчик с выходом NPN и степенью защиты IP65, предназначенный для точного обнаружения в системах промышленной автоматизации. Его U-образная щелевая конфигурация обеспечивает надежное обнаружение наличия, положения и подсчета объектов, удовлетворяя требованиям различных сложных промышленных условий.


Особенности:

  • Щелевой (U-образный) дизайн для точного обнаружения объектов в зазоре.

  • Выход NPN (открытый коллектор) с настраиваемыми режимами NO/NC (Нормально Открытый/Нормально Закрытый).

  • Ширина щели: Вероятно, 5–30 мм (точные характеристики уточняются; сопоставимо с 5 мм у SL-305N  или 30 мм у SLO30VB6YQ).

  • Размер объекта: Обнаруживает объекты размером всего 1,2×0,8×мм.

  • Время отклика: ≤0,3 мс (промышленный стандарт для высокоскоростных приложений).

  • Рабочее напряжение12–24 В постоянного тока.

  • Выходной ток: ~100 мА (типично для датчиков NPN).

  • Защита: Защита от обратной полярности 


Технические параметры

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 0


Изображения продукта

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 1

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 2

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 3


Чертеж габаритных размеров продукта

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 4


Профиль компании

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 5

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 6

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 7

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 8

Порекомендованные продукты
Свяжись с нами
Контактное лицо : Doris
Телефон : +8618924160375
Осталось символов(20/3000)